STGB19NC60KDT4
IC
D2PAK
可供量大可议
STGB19NC60KDT4
IGBT管/模块 2.75V@15V, 12A 600V 125W 35A
品牌
ST
封装
D2PAK
库存
525
货期
现货
STGB19NC60KDT4参数
| 封装 | D2PAK |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 22+ |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 集电极电流(Ic) | 35A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.75V@15V, 12A |
| 输入电容(Cies) | 1.17nF |
| 反向传输电容(Cres) | 28pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 105ns |
| 关断损耗(Eoff) | 255uJ |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 525 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.75V@12A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC |
| 输出电容(Coes) | 127pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns |
| 导通损耗(Eon) | 165uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 31ns |
STGB19NC60KDT4概述
IGBT管/模块 2.75V@15V, 12A 600V 125W 35A
STGB19NC60KDT4特性
暂无产品特性。
STGB19NC60KDT4应用领域
暂无应用领域。