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STGB15M65DF2
IC

D2PAK

可供量大可议

STGB15M65DF2

IGBT管/模块 650V 136W FS(场截止) 30A

品牌

ST

封装

D2PAK

库存

999

货期

现货

STGB15M65DF2参数

封装D2PAK
品牌ST(意法半导体)
批次22+
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极脉冲电流(Icm)60A
集射极饱和电压(VCE(sat))1.55V
输入电容(Cies)1.25nF
反向传输电容(Cres)25pF
关断延迟时间(Td(off))93ns
关断损耗(Eoff)450uJ
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
分类IGBT管/模块
库存999
MOQ / SPQ1 / 1
耗散功率(Pd)136W
集电极电流(Ic)30A
集电极截止电流(Ices)25uA
栅极阈值电压(Vge(th))6V
输出电容(Coes)80pF
开启延迟时间(Td(on))24ns
导通损耗(Eon)90uJ
反向恢复时间(Trr)142ns

STGB15M65DF2概述

IGBT管/模块 650V 136W FS(场截止) 30A

STGB15M65DF2特性

暂无产品特性。

STGB15M65DF2应用领域

暂无应用领域。

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