STFW4N150-HXY

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具备1500V漏源耐压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）能力， 适用于高电压工作环境。 其最大漏极电流为3.7A（ID）， 导通电阻为1000mΩ， 表现出良好的电流承载能力和较低的导通损耗。 该器件广泛应用于电源转换、开关电路、直流-直流变换器及高压控制电路中， 适合对效率与稳定性有一定要求的电力电子系统设计。