STFW3N150-HXY
IC
TO-3PF
可供量大可议
STFW3N150-HXY
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具有1500V漏源耐压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）能力， 适用于高电压工作场景。 其最大漏极电流3.7A（ID）， 导通电阻为1000mΩ， 具备良好的电流承载性能和较低的导通损耗。 该器件常用于电源转换、开关控制、直流变换及高压调节等电路设计中， 满足对效率与稳定性有要求的电力电子应用需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-3PF
库存
3
货期
现货
STFW3N150-HXY参数
| 封装 | TO-3PF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
STFW3N150-HXY概述
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具有1500V漏源耐压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）能力， 适用于高电压工作场景。 其最大漏极电流3.7A（ID）， 导通电阻为1000mΩ， 具备良好的电流承载性能和较低的导通损耗。 该器件常用于电源转换、开关控制、直流变换及高压调节等电路设计中， 满足对效率与稳定性有要求的电力电子应用需求。
STFW3N150-HXY特性
暂无产品特性。
STFW3N150-HXY应用领域
暂无应用领域。