STFU28N65M2-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
STFU28N65M2-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅工艺， 在高电压应用中展现出较低的导通损耗和优异的开关特性， 同时具备良好的高温工作能力。 适用于需要高效率、高频率运行的电源转换系统， 可有效支持对功率密度和热管理有较高要求的电子设备。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
8
货期
现货
STFU28N65M2-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
STFU28N65M2-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅工艺， 在高电压应用中展现出较低的导通损耗和优异的开关特性， 同时具备良好的高温工作能力。 适用于需要高效率、高频率运行的电源转换系统， 可有效支持对功率密度和热管理有较高要求的电子设备。
STFU28N65M2-HXY特性
暂无产品特性。
STFU28N65M2-HXY应用领域
暂无应用领域。