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STFU13N65M2-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

STFU13N65M2-HXY

该N沟道场效应管具备650V漏源击穿电压与20A连续漏极电流承载能力, 导通电阻典型值为380mΩ。 器件凭借高压耐受特性与适中的导通损耗, 适用于各类高压电源转换拓扑及电机驱动电路。 其参数组合旨在优化开关效率与热管理表现, 适合构建高可靠性功率级, 满足严苛电气环境下的稳定运行需求, 为系统设计提供坚实的功率控制基础。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

23

货期

现货

STFU13N65M2-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

STFU13N65M2-HXY概述

该N沟道场效应管具备650V漏源击穿电压与20A连续漏极电流承载能力, 导通电阻典型值为380mΩ。 器件凭借高压耐受特性与适中的导通损耗, 适用于各类高压电源转换拓扑及电机驱动电路。 其参数组合旨在优化开关效率与热管理表现, 适合构建高可靠性功率级, 满足严苛电气环境下的稳定运行需求, 为系统设计提供坚实的功率控制基础。

STFU13N65M2-HXY特性

暂无产品特性。

STFU13N65M2-HXY应用领域

暂无应用领域。

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