STFU13N65M2-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
STFU13N65M2-HXY
该N沟道场效应管具备650V漏源击穿电压与20A连续漏极电流承载能力, 导通电阻典型值为380mΩ。 器件凭借高压耐受特性与适中的导通损耗, 适用于各类高压电源转换拓扑及电机驱动电路。 其参数组合旨在优化开关效率与热管理表现, 适合构建高可靠性功率级, 满足严苛电气环境下的稳定运行需求, 为系统设计提供坚实的功率控制基础。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
23
货期
现货
STFU13N65M2-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
STFU13N65M2-HXY概述
该N沟道场效应管具备650V漏源击穿电压与20A连续漏极电流承载能力, 导通电阻典型值为380mΩ。 器件凭借高压耐受特性与适中的导通损耗, 适用于各类高压电源转换拓扑及电机驱动电路。 其参数组合旨在优化开关效率与热管理表现, 适合构建高可靠性功率级, 满足严苛电气环境下的稳定运行需求, 为系统设计提供坚实的功率控制基础。
STFU13N65M2-HXY特性
暂无产品特性。
STFU13N65M2-HXY应用领域
暂无应用领域。
