STF7N65M6-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备650V的漏源击穿电压（VDSS）， 可承受10A的连续漏极电流（ID）。 其导通电阻（RDON）为860mΩ， 适用于需要中等开关速度与低静态损耗的电路设计。 器件常用于开关电源、适配器及照明驱动等场景， 能在高电压环境下实现稳定的电流控制与信号切换， 满足通用电子设备对功率转换效率的基础需求。