STF6N60M2-VB
IC
TO-220F
可供量大可议
STF6N60M2-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Plannar技术， 具有高性能和可靠性， 适用于各种功率电子应用， 提供稳定可靠的电气特性。 TO220F； N—Channel沟道, 650V； 7A； RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
7
货期
现货
STF6N60M2-VB参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
STF6N60M2-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Plannar技术， 具有高性能和可靠性， 适用于各种功率电子应用， 提供稳定可靠的电气特性。 TO220F； N—Channel沟道, 650V； 7A； RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~5V
STF6N60M2-VB特性
暂无产品特性。
STF6N60M2-VB应用领域
暂无应用领域。