STF45N65M5-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具备18A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压， 导通电阻典型值为94mΩ， 在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。 器件采用碳化硅材料， 具有优异的高温特性和开关性能， 适用于高效率、高频率的电源转换场景。 其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效， 适合用于对体积和热管理有较高要求的电力电子装置中。