STF38N65M5-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为18A， 漏源电压耐受能力达650V， 导通电阻为94mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件基于碳化硅材料构建， 具备优异的高频开关特性和较低的导通损耗， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能计算设备中的功率管理模块， 在高温或高频率工作条件下仍能保持稳定电气性能。