STF28N65M2-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件采用碳化硅材料， 具备高耐压、低导通损耗及优异的高温稳定性， 适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。 其宽栅压范围提升了驱动兼容性， 适合在高频开关条件下稳定工作， 满足多种电力电子系统对高性能开关器件的需求。