STF26N65DM2-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
STF26N65DM2-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）、11A的连续漏极电流（ID）以及165mΩ的导通电阻（RDS(on)）， 栅源电压工作范围为-8V至+20V。 得益于碳化硅材料的物理特性， 器件在高频开关操作中展现出较低的导通与开关损耗， 并具有良好的高温工作能力。 适用于高效率电源、可再生能源转换系统及对体积和能效有较高要求的电力电子应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
9
货期
现货
STF26N65DM2-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
STF26N65DM2-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）、11A的连续漏极电流（ID）以及165mΩ的导通电阻（RDS(on)）， 栅源电压工作范围为-8V至+20V。 得益于碳化硅材料的物理特性， 器件在高频开关操作中展现出较低的导通与开关损耗， 并具有良好的高温工作能力。 适用于高效率电源、可再生能源转换系统及对体积和能效有较高要求的电力电子应用。
STF26N65DM2-HXY特性
暂无产品特性。
STF26N65DM2-HXY应用领域
暂无应用领域。