STF24NM65N-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
STF24NM65N-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为800V， 连续漏极电流（ID）为11A， 导通电阻（RDS(on)）为165mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 基于碳化硅材料的特性， 器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类中高功率电子设备中的功率开关环节。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
9
货期
现货
STF24NM65N-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
STF24NM65N-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为800V， 连续漏极电流（ID）为11A， 导通电阻（RDS(on)）为165mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 基于碳化硅材料的特性， 器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类中高功率电子设备中的功率开关环节。
STF24NM65N-HXY特性
暂无产品特性。
STF24NM65N-HXY应用领域
暂无应用领域。