STF21N65M5-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）为165mΩ， 栅源电压范围为-8V至+20V。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高频特性和高温稳定性， 适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。 其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效， 适合用于各类高电压、中等电流的电源管理与能量转换应用。