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STF16N50M2-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

STF16N50M2-HXY

该N沟道场效应管漏源击穿电压为500V, 连续漏极电流达20A, 导通电阻典型值260mΩ, 栅源耐压30V。 器件凭借高耐压与低损耗特性, 适用于高压开关电源、逆变器及电机驱动电路。 在照明镇流器与储能变流系统中, 其能承受高频开关应力, 优化电能转换效率, 是构建高性能功率级电路的关键组件, 满足严苛电气环境下的稳定运行需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

24

货期

现货

STF16N50M2-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存24

STF16N50M2-HXY概述

该N沟道场效应管漏源击穿电压为500V, 连续漏极电流达20A, 导通电阻典型值260mΩ, 栅源耐压30V。 器件凭借高耐压与低损耗特性, 适用于高压开关电源、逆变器及电机驱动电路。 在照明镇流器与储能变流系统中, 其能承受高频开关应力, 优化电能转换效率, 是构建高性能功率级电路的关键组件, 满足严苛电气环境下的稳定运行需求。

STF16N50M2-HXY特性

暂无产品特性。

STF16N50M2-HXY应用领域

暂无应用领域。

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