STF16N50M2-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
STF16N50M2-HXY
该N沟道场效应管漏源击穿电压为500V, 连续漏极电流达20A, 导通电阻典型值260mΩ, 栅源耐压30V。 器件凭借高耐压与低损耗特性, 适用于高压开关电源、逆变器及电机驱动电路。 在照明镇流器与储能变流系统中, 其能承受高频开关应力, 优化电能转换效率, 是构建高性能功率级电路的关键组件, 满足严苛电气环境下的稳定运行需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
24
货期
现货
STF16N50M2-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24 |
STF16N50M2-HXY概述
该N沟道场效应管漏源击穿电压为500V, 连续漏极电流达20A, 导通电阻典型值260mΩ, 栅源耐压30V。 器件凭借高耐压与低损耗特性, 适用于高压开关电源、逆变器及电机驱动电路。 在照明镇流器与储能变流系统中, 其能承受高频开关应力, 优化电能转换效率, 是构建高性能功率级电路的关键组件, 满足严苛电气环境下的稳定运行需求。
STF16N50M2-HXY特性
暂无产品特性。
STF16N50M2-HXY应用领域
暂无应用领域。
