STF14NM65N-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
STF14NM65N-HXY
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID), 导通电阻低至260mΩ, 适用于高效率功率转换设计。 其栅源电压范围为-5V至+16V, 确保了稳定的开关特性与可靠的栅极控制。 采用碳化硅材料, 提升了器件的耐压能力与开关速度, 可有效降低系统损耗。 广泛用于高功率密度电源转换装置, 如高效开关电源、太阳能逆变系统及高压直流变换模块, 适合对热性能和电气性能有严苛要求的场景。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-220F
Stock
9
货期
现货
STF14NM65N-HXYParameters
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
STF14NM65N-HXY概述
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID), 导通电阻低至260mΩ, 适用于高效率功率转换设计。 其栅源电压范围为-5V至+16V, 确保了稳定的开关特性与可靠的栅极控制。 采用碳化硅材料, 提升了器件的耐压能力与开关速度, 可有效降低系统损耗。 广泛用于高功率密度电源转换装置, 如高效开关电源、太阳能逆变系统及高压直流变换模块, 适合对热性能和电气性能有严苛要求的场景。
STF14NM65N-HXY特性
暂无产品特性。
STF14NM65N-HXY应用领域
暂无应用领域。
