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STF14NM65N-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

STF14NM65N-HXY

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID), 导通电阻低至260mΩ, 适用于高效率功率转换设计。 其栅源电压范围为-5V至+16V, 确保了稳定的开关特性与可靠的栅极控制。 采用碳化硅材料, 提升了器件的耐压能力与开关速度, 可有效降低系统损耗。 广泛用于高功率密度电源转换装置, 如高效开关电源、太阳能逆变系统及高压直流变换模块, 适合对热性能和电气性能有严苛要求的场景。

Brand

HXY MOSFET

Package

TO-220F

Stock

9

货期

现货

STF14NM65N-HXYParameters

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存9

STF14NM65N-HXY概述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID), 导通电阻低至260mΩ, 适用于高效率功率转换设计。 其栅源电压范围为-5V至+16V, 确保了稳定的开关特性与可靠的栅极控制。 采用碳化硅材料, 提升了器件的耐压能力与开关速度, 可有效降低系统损耗。 广泛用于高功率密度电源转换装置, 如高效开关电源、太阳能逆变系统及高压直流变换模块, 适合对热性能和电气性能有严苛要求的场景。

STF14NM65N-HXY特性

暂无产品特性。

STF14NM65N-HXY应用领域

暂无应用领域。

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