STF14NM50N-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）支持500V漏源电压与20A连续电流， 导通电阻低至260mΩ， 栅源耐压为30V。 凭借低导通损耗特性， 它适用于大功率开关电源、电机驱动电路及逆变器系统。 器件能在高电压大电流工况下保持高效运行， 为各类电力电子设备提供稳定的开关控制解决方案， 满足对功率转换效率的严格要求。