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STF14N80K5-VB
IC

TO-220F

可供量大可议

STF14N80K5-VB

台积电流片, 长电科技封装; TO220F; N—Channel沟道, 800V; 11A; RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V; 是一款单N沟道场效应晶体管, 采用SJ_Multi-EPI技术, 适用于多个电子领域和模块。

品牌

VBsemi

封装

TO-220F

库存

5

货期

现货

STF14N80K5-VB参数

封装TO-220F
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5

STF14N80K5-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; TO220F; N—Channel沟道, 800V; 11A; RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V; 是一款单N沟道场效应晶体管, 采用SJ_Multi-EPI技术, 适用于多个电子领域和模块。

STF14N80K5-VB特性

暂无产品特性。

STF14N80K5-VB应用领域

暂无应用领域。

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