STF13NM50N-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备500V漏源击穿电压与20A连续漏极电流承载能力， 导通电阻典型值为260mΩ， 栅源极耐受电压可达30V。 器件凭借高耐压特性与低导通损耗， 适用于高压电源转换、电机驱动控制及照明镇流器等场景。 其参数设计旨在满足高能效开关需求， 在各类电力电子系统中实现稳定的电流管理与信号切换功能。