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STF13N65M2-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

STF13N65M2-HXY

该N沟道场效应管具备650V漏源击穿电压与20A连续漏极电流承载能力, 导通电阻典型值为380mΩ。 器件凭借高耐压特性, 适用于高压电源转换及电机驱动电路中的开关单元。 在各类电力电子系统中, 其低导通损耗有助于提升整体能效, 满足对功率密度有要求的设备设计需求, 广泛服务于消费电子及通用电源领域。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

6

货期

现货

STF13N65M2-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存6

STF13N65M2-HXY概述

该N沟道场效应管具备650V漏源击穿电压与20A连续漏极电流承载能力, 导通电阻典型值为380mΩ。 器件凭借高耐压特性, 适用于高压电源转换及电机驱动电路中的开关单元。 在各类电力电子系统中, 其低导通损耗有助于提升整体能效, 满足对功率密度有要求的设备设计需求, 广泛服务于消费电子及通用电源领域。

STF13N65M2-HXY特性

暂无产品特性。

STF13N65M2-HXY应用领域

暂无应用领域。

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