STF13N65M2-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
STF13N65M2-HXY
该N沟道场效应管具备650V漏源击穿电压与20A连续漏极电流承载能力, 导通电阻典型值为380mΩ。 器件凭借高耐压特性, 适用于高压电源转换及电机驱动电路中的开关单元。 在各类电力电子系统中, 其低导通损耗有助于提升整体能效, 满足对功率密度有要求的设备设计需求, 广泛服务于消费电子及通用电源领域。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
6
货期
现货
STF13N65M2-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
STF13N65M2-HXY概述
该N沟道场效应管具备650V漏源击穿电压与20A连续漏极电流承载能力, 导通电阻典型值为380mΩ。 器件凭借高耐压特性, 适用于高压电源转换及电机驱动电路中的开关单元。 在各类电力电子系统中, 其低导通损耗有助于提升整体能效, 满足对功率密度有要求的设备设计需求, 广泛服务于消费电子及通用电源领域。
STF13N65M2-HXY特性
暂无产品特性。
STF13N65M2-HXY应用领域
暂无应用领域。
