STF10P6F6
IC
TO-220-3
可供量大可议
STF10P6F6
这些器件是采用 STripFET™ F6 技术开发的 P 沟道功率 MOSFET， 具有新的沟槽栅极结构。 由此产生的功率 MOSFET 在所有封装中均表现出极低的 RDS(on)。
品牌
ST
封装
TO-220-3
库存
979
货期
现货
STF10P6F6参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 979 |
STF10P6F6概述
这些器件是采用 STripFET™ F6 技术开发的 P 沟道功率 MOSFET， 具有新的沟槽栅极结构。 由此产生的功率 MOSFET 在所有封装中均表现出极低的 RDS(on)。
STF10P6F6特性
暂无产品特性。
STF10P6F6应用领域
暂无应用领域。