STF10NM65N-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
STF10NM65N-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和7.1A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为410mΩ。 栅源电压范围为-8V至+20V， 适用于多种驱动电路配置， 同时提供良好的栅极可靠性。 凭借碳化硅材料的固有优势， 该器件在高频开关条件下具有较低的开关损耗和优异的热性能， 适合用于高效率电源转换、可再生能源系统以及对体积和能效有严格要求的电力电子应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
5
货期
现货
STF10NM65N-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
STF10NM65N-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和7.1A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为410mΩ。 栅源电压范围为-8V至+20V， 适用于多种驱动电路配置， 同时提供良好的栅极可靠性。 凭借碳化硅材料的固有优势， 该器件在高频开关条件下具有较低的开关损耗和优异的热性能， 适合用于高效率电源转换、可再生能源系统以及对体积和能效有严格要求的电力电子应用。
STF10NM65N-HXY特性
暂无产品特性。
STF10NM65N-HXY应用领域
暂无应用领域。