STE145N65M5-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具有165A的连续漏极电流能力， 漏源击穿电压达750V， 导通电阻低至11mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高频特性和高温稳定性， 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。 其低导通损耗与快速开关特性有助于提升整体能效， 适合用于对性能和可靠性要求较高的电力电子应用场合。