STDV3055L104T4G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STDV3055L104T4G-HXY
这是一款N沟道场效应管, 其核心特性在于60V的漏源击穿电压与8A的连续漏极电流能力, 导通电阻控制在88mΩ。 器件栅源极可承受±20V电压, 确保了驱动电路设计的灵活性。 凭借低导通损耗与快速开关特性, 该元件在电源管理领域表现出色, 非常适用于DC-DC转换器及各类负载开关应用。 在消费电子与物联网设备中, 它能高效处理低压供电场景, 为精密电路提供稳定的电流控制, 是构建高效能电子系统的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
STDV3055L104T4G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
STDV3055L104T4G-HXY概述
这是一款N沟道场效应管, 其核心特性在于60V的漏源击穿电压与8A的连续漏极电流能力, 导通电阻控制在88mΩ。 器件栅源极可承受±20V电压, 确保了驱动电路设计的灵活性。 凭借低导通损耗与快速开关特性, 该元件在电源管理领域表现出色, 非常适用于DC-DC转换器及各类负载开关应用。 在消费电子与物联网设备中, 它能高效处理低压供电场景, 为精密电路提供稳定的电流控制, 是构建高效能电子系统的理想选择。
STDV3055L104T4G-HXY特性
暂无产品特性。
STDV3055L104T4G-HXY应用领域
暂无应用领域。
