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STDV3055L104T4G-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

STDV3055L104T4G-HXY

这是一款N沟道场效应管, 其核心特性在于60V的漏源击穿电压与8A的连续漏极电流能力, 导通电阻控制在88mΩ。 器件栅源极可承受±20V电压, 确保了驱动电路设计的灵活性。 凭借低导通损耗与快速开关特性, 该元件在电源管理领域表现出色, 非常适用于DC-DC转换器及各类负载开关应用。 在消费电子与物联网设备中, 它能高效处理低压供电场景, 为精密电路提供稳定的电流控制, 是构建高效能电子系统的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

STDV3055L104T4G-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

STDV3055L104T4G-HXY概述

这是一款N沟道场效应管, 其核心特性在于60V的漏源击穿电压与8A的连续漏极电流能力, 导通电阻控制在88mΩ。 器件栅源极可承受±20V电压, 确保了驱动电路设计的灵活性。 凭借低导通损耗与快速开关特性, 该元件在电源管理领域表现出色, 非常适用于DC-DC转换器及各类负载开关应用。 在消费电子与物联网设备中, 它能高效处理低压供电场景, 为精密电路提供稳定的电流控制, 是构建高效能电子系统的理想选择。

STDV3055L104T4G-HXY特性

暂无产品特性。

STDV3055L104T4G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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