STDLED656-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STDLED656-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V， 连续漏极电流（ID）为5.3A， 导通电阻（RDS(on)）为820mΩ。 其栅源驱动电压范围（VGS）为-8V至+19V， 支持较宽的驱动电平， 有助于提升开关可靠性。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高温性能与开关特性， 适用于高频电源转换、光伏逆变器、服务器电源及高效率充电设备等对能效和体积敏感的应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
19
货期
现货
STDLED656-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
STDLED656-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V， 连续漏极电流（ID）为5.3A， 导通电阻（RDS(on)）为820mΩ。 其栅源驱动电压范围（VGS）为-8V至+19V， 支持较宽的驱动电平， 有助于提升开关可靠性。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高温性能与开关特性， 适用于高频电源转换、光伏逆变器、服务器电源及高效率充电设备等对能效和体积敏感的应用场合。
STDLED656-HXY特性
暂无产品特性。
STDLED656-HXY应用领域
暂无应用领域。