STD95N4LF3-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD95N4LF3-HXY
这款N沟道场效应管专为40V电压平台设计, 具备承载80A连续漏极电流的能力。 其核心优势在于极低的导通电阻, 仅为5.5mΩ, 这意味着在大电流传输过程中能有效抑制热量的产生, 保持系统的高效运行。 器件在20V栅源电压下工作稳定。 在电路设计中, 它常被用作高功率负载开关, 负责精准控制大电流负载的通断。 此外, 凭借其优异的电流处理能力, 该器件也广泛应用于各类大功率电源转换模块, 确保电力传输的稳定性与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
38
货期
现货
STD95N4LF3-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 38 |
STD95N4LF3-HXY概述
这款N沟道场效应管专为40V电压平台设计, 具备承载80A连续漏极电流的能力。 其核心优势在于极低的导通电阻, 仅为5.5mΩ, 这意味着在大电流传输过程中能有效抑制热量的产生, 保持系统的高效运行。 器件在20V栅源电压下工作稳定。 在电路设计中, 它常被用作高功率负载开关, 负责精准控制大电流负载的通断。 此外, 凭借其优异的电流处理能力, 该器件也广泛应用于各类大功率电源转换模块, 确保电力传输的稳定性与可靠性。
STD95N4LF3-HXY特性
暂无产品特性。
STD95N4LF3-HXY应用领域
暂无应用领域。
