STD95N4F3-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD95N4F3-HXY
这款N沟道场效应管专为高效功率管理而设计。 其40V的漏源击穿电压(VDSS)确保了在常见电压平台下的稳定运行, 而5.5mΩ的低导通电阻(RDON)则有效降低了导通损耗, 提升了系统整体能效。 在80A的持续漏极电流(ID)能力下, 它能够从容应对高功率负载的切换需求。 ±20V的栅源极电压(VGS)范围使其易于与标准驱动电路配合。 该器件是构建高性能DC-DC转换器、电机调速模块以及大功率电源开关的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
44
货期
现货
STD95N4F3-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 44 |
STD95N4F3-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高效功率管理而设计。 其40V的漏源击穿电压(VDSS)确保了在常见电压平台下的稳定运行, 而5.5mΩ的低导通电阻(RDON)则有效降低了导通损耗, 提升了系统整体能效。 在80A的持续漏极电流(ID)能力下, 它能够从容应对高功率负载的切换需求。 ±20V的栅源极电压(VGS)范围使其易于与标准驱动电路配合。 该器件是构建高性能DC-DC转换器、电机调速模块以及大功率电源开关的理想选择。
STD95N4F3-HXY特性
暂无产品特性。
STD95N4F3-HXY应用领域
暂无应用领域。
