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STD95N4F3-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

STD95N4F3-HXY

这款N沟道场效应管专为高效功率管理而设计。 其40V的漏源击穿电压(VDSS)确保了在常见电压平台下的稳定运行, 而5.5mΩ的低导通电阻(RDON)则有效降低了导通损耗, 提升了系统整体能效。 在80A的持续漏极电流(ID)能力下, 它能够从容应对高功率负载的切换需求。 ±20V的栅源极电压(VGS)范围使其易于与标准驱动电路配合。 该器件是构建高性能DC-DC转换器、电机调速模块以及大功率电源开关的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

44

货期

现货

STD95N4F3-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存44

STD95N4F3-HXY概述

这款N沟道场效应管专为高效功率管理而设计。 其40V的漏源击穿电压(VDSS)确保了在常见电压平台下的稳定运行, 而5.5mΩ的低导通电阻(RDON)则有效降低了导通损耗, 提升了系统整体能效。 在80A的持续漏极电流(ID)能力下, 它能够从容应对高功率负载的切换需求。 ±20V的栅源极电压(VGS)范围使其易于与标准驱动电路配合。 该器件是构建高性能DC-DC转换器、电机调速模块以及大功率电源开关的理想选择。

STD95N4F3-HXY特性

暂无产品特性。

STD95N4F3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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