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STD95N04-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

STD95N04-HXY

该N沟道场效应管专为高效功率切换而设计, 其核心能力在于可承载80A的持续电流, 并能耐受40V的漏源电压。 在10V栅极驱动下, 其导通电阻低至5.5mΩ, 确保了在大电流工况下依然保持极低的传导损耗与发热。 ±20V的栅源电压范围则为驱动电路设计提供了充裕的安全边界。 凭借其出色的电气性能, 该器件非常适用于中大功率的DC-DC转换器、服务器电源模块及高性能负载开关等场景, 是实现高能效电源管理的关键组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

STD95N04-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

STD95N04-HXY概述

该N沟道场效应管专为高效功率切换而设计, 其核心能力在于可承载80A的持续电流, 并能耐受40V的漏源电压。 在10V栅极驱动下, 其导通电阻低至5.5mΩ, 确保了在大电流工况下依然保持极低的传导损耗与发热。 ±20V的栅源电压范围则为驱动电路设计提供了充裕的安全边界。 凭借其出色的电气性能, 该器件非常适用于中大功率的DC-DC转换器、服务器电源模块及高性能负载开关等场景, 是实现高能效电源管理的关键组件。

STD95N04-HXY特性

暂无产品特性。

STD95N04-HXY应用领域

暂无应用领域。

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