STD95N04-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD95N04-HXY
该N沟道场效应管专为高效功率切换而设计, 其核心能力在于可承载80A的持续电流, 并能耐受40V的漏源电压。 在10V栅极驱动下, 其导通电阻低至5.5mΩ, 确保了在大电流工况下依然保持极低的传导损耗与发热。 ±20V的栅源电压范围则为驱动电路设计提供了充裕的安全边界。 凭借其出色的电气性能, 该器件非常适用于中大功率的DC-DC转换器、服务器电源模块及高性能负载开关等场景, 是实现高能效电源管理的关键组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
STD95N04-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
STD95N04-HXY概述
该N沟道场效应管专为高效功率切换而设计, 其核心能力在于可承载80A的持续电流, 并能耐受40V的漏源电压。 在10V栅极驱动下, 其导通电阻低至5.5mΩ, 确保了在大电流工况下依然保持极低的传导损耗与发热。 ±20V的栅源电压范围则为驱动电路设计提供了充裕的安全边界。 凭借其出色的电气性能, 该器件非常适用于中大功率的DC-DC转换器、服务器电源模块及高性能负载开关等场景, 是实现高能效电源管理的关键组件。
STD95N04-HXY特性
暂无产品特性。
STD95N04-HXY应用领域
暂无应用领域。
