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STD90N4F3-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

STD90N4F3-HXY

这款N沟道场效应管专为40V供电架构设计, 具备80A的持续电流处理能力。 其5.5mΩ的极低导通电阻特性, 能有效抑制大电流工况下的热损耗, 配合±20V的宽栅极驱动范围, 确保了与各类控制芯片的兼容性。 该器件在开关电源、无刷电机驱动及电池管理系统中表现优异, 凭借高效的电能转换特性, 能够满足高功率密度电子设备对紧凑布局与稳定运行的严苛要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

STD90N4F3-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

STD90N4F3-HXY概述

这款N沟道场效应管专为40V供电架构设计, 具备80A的持续电流处理能力。 其5.5mΩ的极低导通电阻特性, 能有效抑制大电流工况下的热损耗, 配合±20V的宽栅极驱动范围, 确保了与各类控制芯片的兼容性。 该器件在开关电源、无刷电机驱动及电池管理系统中表现优异, 凭借高效的电能转换特性, 能够满足高功率密度电子设备对紧凑布局与稳定运行的严苛要求。

STD90N4F3-HXY特性

暂无产品特性。

STD90N4F3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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