STD90N4F3-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD90N4F3-HXY
这款N沟道场效应管专为40V供电架构设计, 具备80A的持续电流处理能力。 其5.5mΩ的极低导通电阻特性, 能有效抑制大电流工况下的热损耗, 配合±20V的宽栅极驱动范围, 确保了与各类控制芯片的兼容性。 该器件在开关电源、无刷电机驱动及电池管理系统中表现优异, 凭借高效的电能转换特性, 能够满足高功率密度电子设备对紧凑布局与稳定运行的严苛要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
STD90N4F3-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
STD90N4F3-HXY概述
这款N沟道场效应管专为40V供电架构设计, 具备80A的持续电流处理能力。 其5.5mΩ的极低导通电阻特性, 能有效抑制大电流工况下的热损耗, 配合±20V的宽栅极驱动范围, 确保了与各类控制芯片的兼容性。 该器件在开关电源、无刷电机驱动及电池管理系统中表现优异, 凭借高效的电能转换特性, 能够满足高功率密度电子设备对紧凑布局与稳定运行的严苛要求。
STD90N4F3-HXY特性
暂无产品特性。
STD90N4F3-HXY应用领域
暂无应用领域。
