STD85N10F7AG-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的持续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 适用于多种中高功率电子系统。 导通电阻（RDON）低至8.2mΩ， 可有效减少导通状态下的能量损耗， 提升整体效率。 器件结构优化， 具备良好的开关特性和热稳定性， 适合应用于电源转换、电机驱动、储能管理以及各类电子设备中的高频开关电路， 为系统提供高效、可靠的功率控制方案。