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STD80N6F6-TP
IC

TO-252

可供量大可议

STD80N6F6-TP

N沟道增强型MOSFET， 低栅极电荷可降低开关损耗

品牌

TECH PUBLIC

封装

TO-252

库存

2,443

货期

现货

产品参数概述特性应用领域

STD80N6F6-TP参数

封装TO-252
品牌TECH PUBLIC(台舟)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2443

STD80N6F6-TP概述

N沟道增强型MOSFET， 低栅极电荷可降低开关损耗

STD80N6F6-TP特性

暂无产品特性。

STD80N6F6-TP应用领域

暂无应用领域。

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