STD80N4F6-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD80N4F6-HXY
该N沟道场效应管专为高效功率管理设计, 具备40V的漏源击穿电压, 能够稳定应对中低压电路环境。 其核心优势在于80A的连续漏极电流处理能力, 结合5.5mΩ的极低导通电阻, 显著降低了能量传输过程中的热损耗。 栅源电压耐受范围达到±20V, 增强了器件在复杂驱动信号下的可靠性。 凭借这些特性, 它非常适合应用于各类高性能DC-DC转换器、智能电池管理系统以及大功率负载开关电路中, 确保系统在满载工况下依然保持优异的能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
30
货期
现货
STD80N4F6-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
STD80N4F6-HXY概述
该N沟道场效应管专为高效功率管理设计, 具备40V的漏源击穿电压, 能够稳定应对中低压电路环境。 其核心优势在于80A的连续漏极电流处理能力, 结合5.5mΩ的极低导通电阻, 显著降低了能量传输过程中的热损耗。 栅源电压耐受范围达到±20V, 增强了器件在复杂驱动信号下的可靠性。 凭借这些特性, 它非常适合应用于各类高性能DC-DC转换器、智能电池管理系统以及大功率负载开关电路中, 确保系统在满载工况下依然保持优异的能效表现。
STD80N4F6-HXY特性
暂无产品特性。
STD80N4F6-HXY应用领域
暂无应用领域。
