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STD80N4F6-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

STD80N4F6-HXY

该N沟道场效应管专为高效功率管理设计, 具备40V的漏源击穿电压, 能够稳定应对中低压电路环境。 其核心优势在于80A的连续漏极电流处理能力, 结合5.5mΩ的极低导通电阻, 显著降低了能量传输过程中的热损耗。 栅源电压耐受范围达到±20V, 增强了器件在复杂驱动信号下的可靠性。 凭借这些特性, 它非常适合应用于各类高性能DC-DC转换器、智能电池管理系统以及大功率负载开关电路中, 确保系统在满载工况下依然保持优异的能效表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

30

货期

现货

STD80N4F6-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存30

STD80N4F6-HXY概述

该N沟道场效应管专为高效功率管理设计, 具备40V的漏源击穿电压, 能够稳定应对中低压电路环境。 其核心优势在于80A的连续漏极电流处理能力, 结合5.5mΩ的极低导通电阻, 显著降低了能量传输过程中的热损耗。 栅源电压耐受范围达到±20V, 增强了器件在复杂驱动信号下的可靠性。 凭借这些特性, 它非常适合应用于各类高性能DC-DC转换器、智能电池管理系统以及大功率负载开关电路中, 确保系统在满载工况下依然保持优异的能效表现。

STD80N4F6-HXY特性

暂无产品特性。

STD80N4F6-HXY应用领域

暂无应用领域。

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