STD80N10F7-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD80N10F7-HXY
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有较高的电流承载能力， 持续漏极电流ID可达70A， 漏源电压VDSS为100V， 适用于中高功率应用场景。 导通电阻RDON低至8.2mΩ， 有助于降低导通损耗， 提高系统效率。 该器件采用先进工艺制造， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适用于电源管理、开关电路、电机控制及各类电子设备中的功率转换和调节模块。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
50
货期
现货
STD80N10F7-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
STD80N10F7-HXY概述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有较高的电流承载能力， 持续漏极电流ID可达70A， 漏源电压VDSS为100V， 适用于中高功率应用场景。 导通电阻RDON低至8.2mΩ， 有助于降低导通损耗， 提高系统效率。 该器件采用先进工艺制造， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适用于电源管理、开关电路、电机控制及各类电子设备中的功率转换和调节模块。
STD80N10F7-HXY特性
暂无产品特性。
STD80N10F7-HXY应用领域
暂无应用领域。