STD7NM60N
IC
TO-252(DPAK)
可供量大可议
STD7NM60N
这些器件是采用第二代MDmesh™技术实现的N沟道功率MOSFET。 它将多漏极工艺的优势应用于意法半导体（STMicroelectronics）著名的PowerMESH™横向布局结构。 由此生产的产品具有更低的导通电阻、较低的栅极电荷、高dv/dt能力和出色的雪崩特性
品牌
ST
封装
TO-252(DPAK)
库存
1,275
货期
现货
STD7NM60N参数
| 封装 | TO-252(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1275 |
STD7NM60N概述
这些器件是采用第二代MDmesh™技术实现的N沟道功率MOSFET。 它将多漏极工艺的优势应用于意法半导体（STMicroelectronics）著名的PowerMESH™横向布局结构。 由此生产的产品具有更低的导通电阻、较低的栅极电荷、高dv/dt能力和出色的雪崩特性
STD7NM60N特性
暂无产品特性。
STD7NM60N应用领域
暂无应用领域。