STD7N65M2-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD7N65M2-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备5.3A的连续漏极电流， 最大漏源电压为650V， 导通电阻为820mΩ， 栅源电压工作范围为-8V至+19V。 采用碳化硅材料， 器件在高耐压基础上实现了较低的导通损耗， 并具有良好的高温稳定性和快速开关能力。 适用于对体积、效率及热性能有较高要求的电源转换系统， 尤其适合高频运行环境下的功率开关应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
5
货期
现货
STD7N65M2-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
STD7N65M2-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备5.3A的连续漏极电流， 最大漏源电压为650V， 导通电阻为820mΩ， 栅源电压工作范围为-8V至+19V。 采用碳化硅材料， 器件在高耐压基础上实现了较低的导通损耗， 并具有良好的高温稳定性和快速开关能力。 适用于对体积、效率及热性能有较高要求的电源转换系统， 尤其适合高频运行环境下的功率开关应用。
STD7N65M2-HXY特性
暂无产品特性。
STD7N65M2-HXY应用领域
暂无应用领域。