STD75N3LLH6-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.8毫欧。 其高电流承载能力与极低导通损耗特性， 使其适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高密度功率模块等场景。 器件在大电流工作状态下仍能保持较低的温升， 有助于提升系统整体可靠性与能效表现。