STD70N10F4-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备优良的导通特性和稳定性， 适用于多种电源管理及功率转换场景。 器件漏极电流ID为60A， 漏源电压VDSS达100V， 导通电阻RDON为13.5mΩ， 能够在较高频率与中等电流环境下实现较低损耗与良好热表现。 基于其可靠性能和成熟工艺， 该MOSFET适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路及储能系统中的功率控制单元， 为多样化电子应用提供高效、稳定的元件支持。