STD6N65M2-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD6N65M2-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和5.3A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）为820mΩ。 栅源驱动电压范围为-8V至+19V， 适用于对开关效率和热性能要求较高的电力电子场合。 器件基于碳化硅材料， 具备优异的高频特性和较低的开关损耗， 在适配器、电源转换及高密度功率模块等应用中可实现紧凑设计与高效运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
9
货期
现货
STD6N65M2-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
STD6N65M2-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和5.3A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）为820mΩ。 栅源驱动电压范围为-8V至+19V， 适用于对开关效率和热性能要求较高的电力电子场合。 器件基于碳化硅材料， 具备优异的高频特性和较低的开关损耗， 在适配器、电源转换及高密度功率模块等应用中可实现紧凑设计与高效运行。
STD6N65M2-HXY特性
暂无产品特性。
STD6N65M2-HXY应用领域
暂无应用领域。