STD5NM50T4-VB
IC
TO-252
可供量大可议
STD5NM50T4-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型功率场效应晶体管， 采用SJ_Multi-EPI技术， 具有优异的热稳定性和可靠性。 适用于高压应用场景， 中等功率需求。 TO252； N—Channel沟道, 650V； 7A； RDS(ON)=700mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
50
货期
现货
STD5NM50T4-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:650V 电流:6A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 360pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
| 商品型号 | STD5NM50T4-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00061 |
STD5NM50T4-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型功率场效应晶体管， 采用SJ_Multi-EPI技术， 具有优异的热稳定性和可靠性。 适用于高压应用场景， 中等功率需求。 TO252； N—Channel沟道, 650V； 7A； RDS(ON)=700mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
STD5NM50T4-VB特性
- 低品质因数 (FOM) R\text on x Qg
- 低输入电容 \left(Ciss\right)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 \left(Qg\right)
- 雪崩能量额定值 (UIS)
STD5NM50T4-VB应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域