STD5NK50ZT4-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD5NK50ZT4-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有5A的连续漏极电流（ID）和500V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为1300mΩ。 器件适用于中等功率开关场景， 其电压与电流规格使其能够在较高电压环境下稳定工作， 同时保持合理的导通损耗。 由于具备标准N沟道结构， 可广泛用于电源管理、负载开关及各类电子设备中的功率控制环节， 满足对可靠性和效率有一定要求的应用需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
78
货期
现货
STD5NK50ZT4-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 78 |
STD5NK50ZT4-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有5A的连续漏极电流（ID）和500V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为1300mΩ。 器件适用于中等功率开关场景， 其电压与电流规格使其能够在较高电压环境下稳定工作， 同时保持合理的导通损耗。 由于具备标准N沟道结构， 可广泛用于电源管理、负载开关及各类电子设备中的功率控制环节， 满足对可靠性和效率有一定要求的应用需求。
STD5NK50ZT4-HXY特性
暂无产品特性。
STD5NK50ZT4-HXY应用领域
暂无应用领域。