STD5N65M6-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD5N65M6-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、5.3A的连续漏极电流（ID）以及820mΩ的导通电阻（RDS(on)）。 其栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+19V， 适用于多种驱动电路配置。 基于碳化硅材料的特性， 该器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性， 适合用于高效率电源适配器、光伏逆变系统、数据中心供电模块及便携式快充设备等应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
19
货期
现货
STD5N65M6-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
STD5N65M6-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、5.3A的连续漏极电流（ID）以及820mΩ的导通电阻（RDS(on)）。 其栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+19V， 适用于多种驱动电路配置。 基于碳化硅材料的特性， 该器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性， 适合用于高效率电源适配器、光伏逆变系统、数据中心供电模块及便携式快充设备等应用。
STD5N65M6-HXY特性
暂无产品特性。
STD5N65M6-HXY应用领域
暂无应用领域。