STD55N4F5-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流60A， 漏源击穿电压40V， 导通电阻7.7毫欧。 器件凭借低内阻特性， 在大电流工况下显著降低传导损耗与温升， 提升系统能效。 适用于高性能服务器电源、储能变流器及大功率直流负载开关， 能够在紧凑封装内提供卓越的电流处理能力， 满足高端电子设备对功率密度与热管理的严格要求。