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STD40NF10-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

STD40NF10-HXY

该器件为一款耐压100V的N沟道功率场效应管, 其连续漏极电流能力为30A, 在10V栅源驱动下导通电阻典型值为24mΩ, 栅源电压可承受±20V。 器件采用沟槽栅工艺, 具备低栅极电荷与快速开关特性, 适用于高频开关拓扑。 典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动桥臂、以及各类中低压功率开关电路, 在追求高效率与紧凑布局的电源设计中表现突出。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

47

货期

现货

STD40NF10-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存47

STD40NF10-HXY概述

该器件为一款耐压100V的N沟道功率场效应管, 其连续漏极电流能力为30A, 在10V栅源驱动下导通电阻典型值为24mΩ, 栅源电压可承受±20V。 器件采用沟槽栅工艺, 具备低栅极电荷与快速开关特性, 适用于高频开关拓扑。 典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动桥臂、以及各类中低压功率开关电路, 在追求高效率与紧凑布局的电源设计中表现突出。

STD40NF10-HXY特性

暂无产品特性。

STD40NF10-HXY应用领域

暂无应用领域。

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