STD40NF10-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD40NF10-HXY
该器件为一款耐压100V的N沟道功率场效应管, 其连续漏极电流能力为30A, 在10V栅源驱动下导通电阻典型值为24mΩ, 栅源电压可承受±20V。 器件采用沟槽栅工艺, 具备低栅极电荷与快速开关特性, 适用于高频开关拓扑。 典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动桥臂、以及各类中低压功率开关电路, 在追求高效率与紧凑布局的电源设计中表现突出。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
47
货期
现货
STD40NF10-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
STD40NF10-HXY概述
该器件为一款耐压100V的N沟道功率场效应管, 其连续漏极电流能力为30A, 在10V栅源驱动下导通电阻典型值为24mΩ, 栅源电压可承受±20V。 器件采用沟槽栅工艺, 具备低栅极电荷与快速开关特性, 适用于高频开关拓扑。 典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动桥臂、以及各类中低压功率开关电路, 在追求高效率与紧凑布局的电源设计中表现突出。
STD40NF10-HXY特性
暂无产品特性。
STD40NF10-HXY应用领域
暂无应用领域。
