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STD3NK60Z-1
IC

IPAK

可供量大可议

STD3NK60Z-1

这些高压器件是采用意法半导体的 SuperMESH™ 技术开发的齐纳保护 N 沟道功率 MOSFET, 是成熟的 PowerMESH™ 的优化技术。 除了显著降低导通电阻外, 这些器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的 dv/dt 能力。

品牌

ST

封装

IPAK

库存

27

货期

现货

STD3NK60Z-1参数

封装IPAK
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存27

STD3NK60Z-1概述

这些高压器件是采用意法半导体的 SuperMESH™ 技术开发的齐纳保护 N 沟道功率 MOSFET, 是成熟的 PowerMESH™ 的优化技术。 除了显著降低导通电阻外, 这些器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的 dv/dt 能力。

STD3NK60Z-1特性

暂无产品特性。

STD3NK60Z-1应用领域

暂无应用领域。

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