STD3NK60Z-1
IC
IPAK
可供量大可议
STD3NK60Z-1
这些高压器件是采用意法半导体的 SuperMESH™ 技术开发的齐纳保护 N 沟道功率 MOSFET, 是成熟的 PowerMESH™ 的优化技术。 除了显著降低导通电阻外, 这些器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的 dv/dt 能力。
品牌
ST
封装
IPAK
库存
27
货期
现货
STD3NK60Z-1参数
| 封装 | IPAK |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 27 |
STD3NK60Z-1概述
这些高压器件是采用意法半导体的 SuperMESH™ 技术开发的齐纳保护 N 沟道功率 MOSFET, 是成熟的 PowerMESH™ 的优化技术。 除了显著降低导通电阻外, 这些器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的 dv/dt 能力。
STD3NK60Z-1特性
暂无产品特性。
STD3NK60Z-1应用领域
暂无应用领域。
