STD35NF06T4

这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸™”条形工艺的最新研发成果。 由此制成的晶体管展现出极高的封装密度， 具备低导通电阻、稳健的雪崩特性， 且光刻对准步骤要求较低， 因此具有出色的制造重复性。