STD35NF06L(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
STD35NF06L(UMW)
特性：使用先进的沟槽技术和设计， 提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 ID = 35A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 16mΩ (VGS = 4.5V)。 先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 获得无铅产品认证
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
2,340
货期
现货
STD35NF06L(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2340 |
STD35NF06L(UMW)概述
特性：使用先进的沟槽技术和设计， 提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 ID = 35A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 16mΩ (VGS = 4.5V)。 先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 获得无铅产品认证
STD35NF06L(UMW)特性
暂无产品特性。
STD35NF06L(UMW)应用领域
暂无应用领域。