STD30NF06LT4-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD30NF06LT4-HXY
STD30NF06LT4 型号N沟道MOS管, 采用经典TO-252-2L封装, 以其紧凑尺寸和良好散热性能深受市场青睐。 器件标称电压VDSS高达60V, 峰值电流ID可达30A, 凸显出强大的电流处理能力。 导通电阻仅为22mR, 有效保障了在高功率应用中的能源效率与系统性能。 此款MOS管适用于电源转换、负载开关、电机驱动等多元场景, 出厂前完成严谨质量检测, 确保其能在各种严苛条件下稳定工作, 发挥出色性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
5
货期
现货
STD30NF06LT4-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
STD30NF06LT4-HXY概述
STD30NF06LT4 型号N沟道MOS管, 采用经典TO-252-2L封装, 以其紧凑尺寸和良好散热性能深受市场青睐。 器件标称电压VDSS高达60V, 峰值电流ID可达30A, 凸显出强大的电流处理能力。 导通电阻仅为22mR, 有效保障了在高功率应用中的能源效率与系统性能。 此款MOS管适用于电源转换、负载开关、电机驱动等多元场景, 出厂前完成严谨质量检测, 确保其能在各种严苛条件下稳定工作, 发挥出色性能。
STD30NF06LT4-HXY特性
暂无产品特性。
STD30NF06LT4-HXY应用领域
暂无应用领域。
