STD30NF06LT4

此功率MOSFET是意法半导体独特的“单特征尺寸”条形工艺的最新发展成果。 由此产生的晶体管具有极高的封装密度， 可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性和较少的关键对准步骤， 因此具有出色的制造重复性。