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STD30NE06LT4-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

STD30NE06LT4-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流30A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻22毫欧。 器件适用于大电流负载开关、电池保护模块及直流电机驱动电路。 低导通电阻特性有助于减少功率损耗与发热, 提升系统整体能效。 其电气规格契合中低压功率管理需求, 常见于高性能计算设备、储能装置及大功率消费电子产品的电源转换与分配设计中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

47

货期

现货

STD30NE06LT4-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存47

STD30NE06LT4-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流30A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻22毫欧。 器件适用于大电流负载开关、电池保护模块及直流电机驱动电路。 低导通电阻特性有助于减少功率损耗与发热, 提升系统整体能效。 其电气规格契合中低压功率管理需求, 常见于高性能计算设备、储能装置及大功率消费电子产品的电源转换与分配设计中。

STD30NE06LT4-HXY特性

暂无产品特性。

STD30NE06LT4-HXY应用领域

暂无应用领域。

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