STD30NE06LT4-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD30NE06LT4-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流30A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻22毫欧。 器件适用于大电流负载开关、电池保护模块及直流电机驱动电路。 低导通电阻特性有助于减少功率损耗与发热, 提升系统整体能效。 其电气规格契合中低压功率管理需求, 常见于高性能计算设备、储能装置及大功率消费电子产品的电源转换与分配设计中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
47
货期
现货
STD30NE06LT4-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
STD30NE06LT4-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流30A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻22毫欧。 器件适用于大电流负载开关、电池保护模块及直流电机驱动电路。 低导通电阻特性有助于减少功率损耗与发热, 提升系统整体能效。 其电气规格契合中低压功率管理需求, 常见于高性能计算设备、储能装置及大功率消费电子产品的电源转换与分配设计中。
STD30NE06LT4-HXY特性
暂无产品特性。
STD30NE06LT4-HXY应用领域
暂无应用领域。
