STD30N10F7-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STD30N10F7-HXY
该N沟道场效应管具备40A连续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻低至20毫欧。 器件凭借低内阻特性, 显著降低导通损耗与热积累, 适用于大电流直流电源转换、高性能电机驱动及储能系统功率级电路。 其参数设计聚焦于提升开关效率, 满足各类电子设备在高负载工况下对功率元器件的稳定性与能效要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
STD30N10F7-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
STD30N10F7-HXY概述
该N沟道场效应管具备40A连续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻低至20毫欧。 器件凭借低内阻特性, 显著降低导通损耗与热积累, 适用于大电流直流电源转换、高性能电机驱动及储能系统功率级电路。 其参数设计聚焦于提升开关效率, 满足各类电子设备在高负载工况下对功率元器件的稳定性与能效要求。
STD30N10F7-HXY特性
暂无产品特性。
STD30N10F7-HXY应用领域
暂无应用领域。
