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STD30N10F7-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

STD30N10F7-HXY

该N沟道场效应管具备40A连续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻低至20毫欧。 器件凭借低内阻特性, 显著降低导通损耗与热积累, 适用于大电流直流电源转换、高性能电机驱动及储能系统功率级电路。 其参数设计聚焦于提升开关效率, 满足各类电子设备在高负载工况下对功率元器件的稳定性与能效要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

STD30N10F7-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

STD30N10F7-HXY概述

该N沟道场效应管具备40A连续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻低至20毫欧。 器件凭借低内阻特性, 显著降低导通损耗与热积累, 适用于大电流直流电源转换、高性能电机驱动及储能系统功率级电路。 其参数设计聚焦于提升开关效率, 满足各类电子设备在高负载工况下对功率元器件的稳定性与能效要求。

STD30N10F7-HXY特性

暂无产品特性。

STD30N10F7-HXY应用领域

暂无应用领域。

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